中国首台7纳米光刻机
中国首台 7 纳米光刻机目前还未真正实现。
工信部发布的相关目录中提到的国产光刻机是套刻精度≤8nm、分辨率 65nm、波长 193nm 的 DUV 光刻机。这并不意味着能直接量产 7nm 制程的芯片。
光刻机制程提升的关键在于光源波长和物镜系统的数值孔径。目前光刻机已历经五代发展波长从 436nm 缩短至 13.5nm芯片制程也不断进步。
要制造更小线宽的芯片可采用更短波长光源、更大数值孔径物镜等办法。DUV 光刻机可通过浸没式和多重曝光技术提升制造工艺但工程实现难度高。
此次国产 ArF 光刻机性能与 ASML 于 2015 年的某款光刻机接近理论上可量产 28nm 工艺芯片但因套刻精度误差等原因实际可能达不到。
国产光刻机从干式 DUV 转向浸没式 DUV 面临诸多难题。不过相比之前 90nm 分辨率的光刻机已有进步虽然与国外先进水平仍有差距但新的进展为国内晶圆厂扩产自主可控带来了希望。
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